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CMB80N06P
1个N沟道 耐压:60V 电流:80A
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- 描述
- 80N06P采用先进的功率创新设计和硅工艺技术，以提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可应用于各种领域。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMB80N06P
- 商品编号
- C6939663
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.677克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 145W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 70nC@40A | |
| 输入电容(Ciss) | 1.35nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 200pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 550pF |
商品概述
这款MOSFET专为满足汽车应用的严苛要求而设计。它符合AEC-Q101标准，具备生产件批准程序（PPAP）支持，非常适合用于：电源管理功能、DC-DC转换器、背光照明
商品特性
- 额定温度可达+175°C，适用于高环境温度环境
- 100%非钳位电感开关，确保终端应用更可靠、更耐用
- 低RDS(ON)，确保导通状态损耗最小化
- 出色的Qgd x RDS(ON)乘积（品质因数FOM）
- 无铅表面处理，符合RoHS标准
- 无卤素和锑，为“绿色”器件
- 符合AEC-Q101高可靠性标准
- 具备PPAP能力
应用领域
- 电源管理功能
- DC-DC转换器
- 背光照明