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CMB80N06P实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

CMB80N06P

1个N沟道 耐压:60V 电流:80A

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描述
80N06P采用先进的功率创新设计和硅工艺技术,以提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可应用于各种领域。
商品型号
CMB80N06P
商品编号
C6939663
商品封装
TO-263​
包装方式
编带
商品毛重
1.677克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)80A
导通电阻(RDS(on))15mΩ@10V
耗散功率(Pd)145W
属性参数值
栅极电荷量(Qg)70nC
输入电容(Ciss)1.35nF
反向传输电容(Crss)200pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)550pF

商品概述

这款MOSFET专为满足汽车应用的严苛要求而设计。它符合AEC-Q101标准,具备生产件批准程序(PPAP)支持,非常适合用于:电源管理功能、DC-DC转换器、背光照明

商品特性

  • 快速开关
  • 低导通电阻
  • 100%雪崩测试
  • 符合RoHS标准

应用领域

  • 直流-直流转换器
  • LED电源控制器
  • 大电流、高速开关
  • 电机控制
  • 音频放大器

数据手册PDF