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CMB540P
1个N沟道 耐压:100V 电流:33A
- 描述
- 使用先进的工艺技术和设计，提供出色的RDS(ON)。适用于低电压应用，如音频放大器、高效开关DC/DC转换器和直流电机控制。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMB540P
- 商品编号
- C6939662
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.707克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 33A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ | |
| 耗散功率(Pd) | 130W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 44nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 300pF |
商品概述
这款MOSFET旨在最小化导通电阻 RDS(on)，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- DC - DC转换器
- 不间断电源(UPS)
- 电源
- 电机控制