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CMB110P06B
1个P沟道 耐压:60V 电流:90A
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- 描述
- 110P06B采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻（RDS(ON)）。它可用于多种应用场景。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMB110P06B
- 商品编号
- C6939658
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.7015克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 90A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10.5mΩ@4.5V,20A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 140W | |
| 输入电容(Ciss) | 11nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 360pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款MOSFET旨在最大程度降低导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合用于高效电源管理应用。
商品特性
- 额定温度可达+175°C，适用于高环境温度环境
- 生产过程中进行100%非钳位电感开关（UIS）测试，确保最终应用更加可靠、耐用
- 高转换效率
- 低RDS(ON)，最大程度降低功率损耗
- 可焊侧翼，便于光学检测
- 快速开关速度
- 低输入电容
- 无铅镀层，符合RoHS标准
- 无卤素和锑，为“绿色”器件
- 另有符合汽车应用标准的产品（DMTH4M70SPGWQ），数据手册单独提供
应用领域
- 发动机管理系统-车身控制电子设备-DC-DC转换器