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CMB110P06B
1个P沟道 耐压:60V 电流:90A
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- 描述
- 110P06B采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻（RDS(ON)）。它可用于多种应用场景。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMB110P06B
- 商品编号
- C6939658
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.7015克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 90A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 140W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 56nC | |
| 输入电容(Ciss) | 11nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 360pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 700pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
110P06B采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
商品特性
- P沟道
- 低导通电阻
- 快速开关
- 100%雪崩测试
应用领域
- 逆变器
- 电机驱动
- DC / DC转换器