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CMB40N25P
1个N沟道 耐压:250V 电流:40A
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- 描述
- 40N25P采用先进的平面条形DMOS技术和设计，以实现出色的RDS(ON)。这些器件非常适合用于高效开关模式电源、基于半桥拓扑的有源功率因数校正。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMB40N25P
- 商品编号
- C6939660
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.74克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 250V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 90mΩ |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 160W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
CMB100P03B是一款P沟道功率MOSFET。它们采用先进的沟槽技术，以提供出色的导通电阻RDS(ON)。因此，该器件适用于先进的高效开关应用。
商品特性
- 快速开关
- 较低的导通电阻
- 100%保证抗雪崩能力
- 驱动要求简单
应用领域
- 直流-直流转换器-电机控制-LED控制器