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SIR172ADP-T1-GE3实物图
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温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

SIR172ADP-T1-GE3

1个N沟道 耐压:30V 电流:16.1A

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描述
特性：TrenchFET功率MOSFET。 低热阻。 PowerFAK封装，高度仅1.07mm。 针对高端同步整流器操作进行优化。 100%进行Rg和UIS测试。应用：笔记本CPU核心-高端开关
品牌名称
VISHAY(威世)
商品型号
SIR172ADP-T1-GE3
商品编号
C727332
商品封装
PowerPAKSO-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.23克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)16.1A
导通电阻(RDS(on))8.5mΩ@10V,24A
耗散功率(Pd)3.9W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2.4V
栅极电荷量(Qg)12.8nC@10V
输入电容(Ciss)1.515nF@15V
反向传输电容(Crss)142pF@15V
工作温度-55℃~+150℃

数据手册PDF

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