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SI1965DH-T1-GE3
2个P沟道 耐压:12V 电流:1.3A
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- 描述
- 特性：无卤，符合IEC 61249-2-21定义。 TrenchFET功率MOSFET。 符合RoHS指令2002/95/EC。应用：便携式设备负载开关
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI1965DH-T1-GE3
- 商品编号
- C727333
- 商品封装
- SOT-363
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.030646克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 390mΩ@4.5V,1A | |
| 耗散功率(Pd) | 800mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 400mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4.2nC@8V | |
| 输入电容(Ciss) | 120pF@6V | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF@6V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个3000个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交1单
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