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SI2399DS-T1-GE3实物图
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SI2399DS-T1-GE3

1个P沟道 耐压:20V 电流:5.8A

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
描述
特性：无卤，符合 IEC 61249-2-21 定义。 TrenchFET 功率 MOSFET。 100% Rg 测试。 符合 RoHS 指令 2002/95/EC。应用：负载开关。 PA 开关
品牌名称
VISHAY(威世)
商品型号
SI2399DS-T1-GE3
商品编号
C727334
商品封装
SOT-23​
包装方式
编带
商品毛重
0.036克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)5.8A
导通电阻(RDS(on))34mΩ@10V,5.1A
耗散功率(Pd)-
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))600mV
栅极电荷量(Qg)10nC@10V
输入电容(Ciss)835pF@10V
反向传输电容(Crss)155pF@10V
工作温度-55℃~+150℃

数据手册PDF

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