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SI3127DV-T1-GE3
P沟道，60 V（D-S）MOSFET
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- 描述
- 特性：TrenchFET功率MOSFET。 100% Rg和UIS测试。应用：负载开关。 DC/DC转换器
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI3127DV-T1-GE3
- 商品编号
- C727331
- 商品封装
- TSOP-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.043克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 51A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 74mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 4.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 832pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 63pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 88pF |
商品特性
- TrenchFET功率MOSFET
- 100%进行Rg和UIS测试
- 符合RoHS标准且无卤素
应用领域
-负载开关-DC/DC转换器
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