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SI1902DL-T1-GE3实物图
  • SI1902DL-T1-GE3商品缩略图

温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

SI1902DL-T1-GE3

2个N沟道 耐压:20V 电流:660mA

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描述
适用于需要小型化封装且需要切换低电流（约250 mA）的小信号应用，可以直接或通过使用电平转换配置进行切换。提供一系列导通电阻规格的6引脚版本。新的6引脚SC-70封装可实现更好的导通电阻值和增强的热性能。
品牌名称
VISHAY(威世)
商品型号
SI1902DL-T1-GE3
商品编号
C727330
商品封装
SOT-363-6​
包装方式
编带
商品毛重
0.030646克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量2个N沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)700mA
导通电阻(RDS(on))385mΩ@4.5V,660mA
耗散功率(Pd)160mW
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1.5V
栅极电荷量(Qg)1.2nC@4.5V
输入电容(Ciss)-
反向传输电容(Crss)0.3pF@10V
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)
配置-

数据手册PDF

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