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SI1035X-T1-GE3
1个N沟道+1个P沟道 耐压:20V 电流:200mA
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- 描述
- 特性：按照IEC 61249-2-21定义为无卤产品。 TrenchFET功率MOSFET：额定1.5 V。 封装尺寸非常小。 高端开关。 低导通电阻：N沟道5 Ω，P沟道8 Ω。 低阈值：± 0.9 V（典型值）。应用：替代数字晶体管、电平转换器。 电池供电系统
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI1035X-T1-GE3
- 商品编号
- C727329
- 商品封装
- SC-89-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.024302克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 200mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10Ω@1.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 190mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 400mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 750pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤要求
- 沟道型场效应管(TrenchFET)功率 MOSFET:额定电压 1.5 V
- 封装尺寸极小
- 高端开关
- 低导通电阻:N 沟道 5 Ω,P 沟道 8 Ω
- 低阈值:±0.9 V(典型值)
- 快速开关速度:45 ns(典型值)
- 1.5 V 工作电压
- 栅源极静电放电(ESD)保护:2000 V
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
应用领域
-替代数字晶体管、电平转换器-电池供电系统-电源转换电路-负载/电源开关,用于手机、寻呼机
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