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SI1023X-T1-GE3实物图
  • SI1023X-T1-GE3商品缩略图

温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

SI1023X-T1-GE3

2个P沟道 耐压:20V 电流:350mA

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描述
特性：无卤，符合 IEC 61249-2-21 定义。TrenchFET 功率 MOSFET，额定电压 1.8 V。非常小的占位面积。高端开关。低导通电阻：1.2 Ω。低阈值：0.8 V（典型值）。应用：驱动器：继电器、螺线管、灯、锤子、显示器、存储器。电池供电系统
品牌名称
VISHAY(威世)
商品型号
SI1023X-T1-GE3
商品编号
C727328
商品封装
SOT-563-6​
包装方式
编带
商品毛重
0.024302克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量2个P沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)350mA
导通电阻(RDS(on))2.7Ω@1.8V,150mA
耗散功率(Pd)145mW
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))450mV
栅极电荷量(Qg)1.5nC@4.5V
输入电容(Ciss)-
反向传输电容(Crss)-
工作温度-55℃~+150℃

数据手册PDF

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购买数量

(3000个/圆盘，最小起订量 1 个)
个
起订量：1 个3000个/圆盘

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