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SI1032X-T1-GE3实物图
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温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

SI1032X-T1-GE3

1个N沟道 耐压:20V 电流:200mA

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描述
特性：无卤，符合 IEC 61249-2-21 定义。 低侧开关。 低欧姆电阻：5 Ω。 低阈值：0.9 V（典型值）。 快速开关速度：35 ns。 TrenchFET 功率 MOSFET，额定 1.5 V。应用：驱动器：继电器、螺线管、灯、锤子、显示器、存储器。 电池供电系统
品牌名称
VISHAY(威世)
商品型号
SI1032X-T1-GE3
商品编号
C727316
商品封装
SC-89-3​
包装方式
编带
商品毛重
0.035克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)200mA
导通电阻(RDS(on))5Ω@4.5V,200mA
耗散功率(Pd)300mW
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1.2V
栅极电荷量(Qg)750pC@4.5V
输入电容(Ciss)-
反向传输电容(Crss)-
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道

数据手册PDF

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