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DG3257DN-T1-GE4

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描述: DG3257是一款采用单刀双掷（SPDT）配置的低导通电阻（R(ON)）、高带宽模拟开关。它的开关导通电阻为5 ，在5 pF负载下-3 dB带宽大于700 MHz，通道间串扰为-32 dB，隔离度为-33 dB。DG3257采用高密度亚微米CMOS工艺制造，具有低寄生电容，能处理双向信号流并将相位失真降至最低
品牌名称: VISHAY(威世)
商品型号: DG3257DN-T1-GE4
商品编号: C727322
商品封装: UDFN-6(1x1)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.031476克(g)

商品参数

商品概述

DG3257是一款低导通电阻、高带宽的单刀双掷（SPDT）模拟开关。它的开关导通电阻低至5Ω，在5pF负载下-3dB带宽超过700MHz，通道间串扰为-32dB，隔离度为-33dB。DG3257采用高密度亚微米CMOS工艺制造，具有低寄生电容，能够处理双向信号流并将相位失真降至最低。其逻辑高阈值保证为1.4V，可直接与低压微控制器（MCU）接口。 DG3257的工作电压范围宽，为1.65V至5.5V，可由单节锂离子电池直接供电。片上保护电路可在V+为零时防止故障发生。根据JESD78标准，其闩锁电流为300mA，静电放电（ESD）耐受能力超过6kV。该器件采用超小型μDFN6L（1mm×1mm）封装，非常适合便携式高速混合信号切换应用。

商品特性

1.65V至5.5V单电源供电
低电阻：在4.2V时典型值为5Ω
开关导通电容：典型值为9pF
-3dB带宽：700MHz
掉电保护
能够承受超过V+的信号摆幅（当信号摆幅超过V+时，信号引脚电流：典型值为(V_S - 0.6V)/120Ω）
控制逻辑S引脚电压可超过V+
先断后通切换
闩锁电流：300mA（符合JESD78标准）
静电放电/人体模型（ESD/HBM）：6kV
静电放电/带电器件模型（ESD/CDM）：1kV
与TTL/CMOS兼容

应用领域

智能手机
平板电脑、电子阅读器
相机、音频设备
计算机及外设
数据存储
物联网
可穿戴设备
便携式医疗设备

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	属性	参数值
	商品目录	模拟开关/多路复用器
	开关电路	2:1
	通道数	1
	工作电压	1.65V~5.5V
	导通时间(ton)	17ns
	导通电阻(Ron)	5Ω

	属性	参数值
	关闭时间(toff)	35ns
	工作温度	-40℃~+85℃
	导通电容(Con)	9pF
	带宽	700MHz
	传播延迟(tpd)	100ps