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SIA449DJ-T1-GE3
耐压:30V 电流:12A
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- 描述
- 特性：TrenchFET功率MOSFET。热增强型PowerPAk SC 70封装。小封装面积。低导通电阻。100%进行Rg测试。应用：智能手机。平板电脑
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIA449DJ-T1-GE3
- 商品编号
- C727325
- 商品封装
- PowerPAK-SC-70-6L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.043克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 38mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 600mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 23.1nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.14nF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- TrenchFET功率MOSFET
- 热增强型PowerPAK SC-70封装
- 小封装面积
- 低导通电阻
- 100% Rq测试
- 符合RoHS标准
- 无卤
应用领域
- 在智能手机、平板电脑、移动计算设备中提供低压降
- 电源管理
- 充电器开关
- 负载开关
- DC/DC转换器
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