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SIS472ADN-T1-GE3
1个N沟道 耐压:30V 电流:24A
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- 描述
- 特性：TrenchFET功率MOSFET，针对高端同步整流器操作进行了优化。 100%进行Rg和UIS测试。应用：笔记本电脑CPU核心-高端开关
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIS472ADN-T1-GE3
- 商品编号
- C727317
- 商品封装
- PowerPAK1212-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.15克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 24A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 18W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.515nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 142pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 沟槽型场效应晶体管(TrenchFET)功率MOSFET
- 针对高端同步整流器操作进行优化
- 经过100% Rq和UIS测试
应用领域
- 笔记本电脑CPU核心
- 高端开关
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