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SIUD402ED-T1-GE3实物图
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SIUD402ED-T1-GE3

N沟道，20 V（D-S）MOSFET

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
描述
特性：TrenchFET功率MOSFET。 超小尺寸：0.8mm×0.6mm外形。 超薄：最大高度0.4mm。 100%进行Rg测试。 典型ESD保护：2000V（rHBM）。应用：负载开关。 高速开关
品牌名称
VISHAY(威世)
商品型号
SIUD402ED-T1-GE3
商品编号
C727285
商品封装
PowerPAK0806-3​
包装方式
编带
商品毛重
0.055克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)350mA
导通电阻(RDS(on))870mΩ@2.5V,0.1A
耗散功率(Pd)370mW
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))900mV
栅极电荷量(Qg)750pC@4.5V
输入电容(Ciss)16pF@10V
反向传输电容(Crss)1.2pF@10V
工作温度-55℃~+150℃

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