温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SIUD402ED-T1-GE3
N沟道，20 V（D-S）MOSFET
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 特性：TrenchFET功率MOSFET。 超小尺寸：0.8mm×0.6mm外形。 超薄：最大高度0.4mm。 100%进行Rg测试。 典型ESD保护：2000V（rHBM）。应用：负载开关。 高速开关
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIUD402ED-T1-GE3
- 商品编号
- C727285
- 商品封装
- PowerPAK0806-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.055克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 350mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 870mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 370mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 900mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 750pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 16pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- TrenchFET功率MOSFET
- 超小尺寸,外形为0.8 mm × 0.6 mm
- 超薄设计,最大高度0.4 mm
- 100%进行Rg测试
- 典型ESD保护能力2000 V(HBM)
应用领域
- 负载开关
- 高速开关
- DC/DC转换器
- 适用于智能手机、平板电脑和移动计算设备
- 小信号开关
相似推荐
其他推荐
- SI3440ADV-T1-GE3
- SI1427EDH-T1-GE3
- SI8819EDB-T2-E1
- SI1317DL-T1-GE3
- SI3473DDV-T1-GE3
- SI2303CDS-T1-E3
- SI1016CX-T1-GE3
- SI1079X-T1-GE3
- SI3429EDV-T1-GE3
- SI1031R-T1-GE3
- SI2367DS-T1-GE3
- SI5468DC-T1-GE3
- SI8823EDB-T2-E1
- SI8821EDB-T2-E1
- SIA462DJ-T1-GE3
- SQ1539EH-T1_GE3
- SQ1563AEH-T1_GE3
- SI1443EDH-T1-GE3
- SI3424CDV-T1-GE3
- SI8800EDB-T2-E1
- SI8806DB-T2-E1