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SQ1563AEH-T1_GE3
N和P沟道20V(D-S) 175°C MOSFET
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- 描述
- 特性：TrenchFET功率MOSFET。 100% Rg和UIS测试。 AEC-Q101合格。 材料分类：有关合规性定义请参阅相关文档
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SQ1563AEH-T1_GE3
- 商品编号
- C727304
- 商品封装
- SOT-363-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.040067克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 850mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 280mΩ@4.5V；575mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 600mV；600mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 930pC@10V；1nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 67pF；63pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF；10pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 22pF；26pF |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个3000个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交5单
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