- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SI8806DB-T2-E1
1个N沟道 耐压:12V 电流:2.8A
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI8806DB-T2-E1
- 商品编号
- C727308
- 商品封装
- XFBGA-4
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.037克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 43mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 400mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 17nC@8V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - | |
| 栅极电压(Vgs) | ±8V |
商品特性
- TrenchFET功率MOSFET
- 外形面积小,仅0.8 mm × 0.8 mm
- 最大厚度低至0.4 mm
- 低导通电阻
应用领域
- 低压降负载开关
- 低压电源线负载开关
- 智能手机、平板电脑、移动计算设备
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