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SI8806DB-T2-E1
1个N沟道 耐压:12V 电流:2.8A
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI8806DB-T2-E1
- 商品编号
- C727308
- 商品封装
- XFBGA-4
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.037克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 43mΩ@4.5V,1A | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 400mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 17nC@8V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
交货周期
订货39-41个工作日购买数量
(1个/圆盘，最小起订量 12000 个)个
起订量：12000 个1个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交0单
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