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SI1078X-T1-GE3
1个N沟道 耐压:30V 电流:1.02A
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- 描述
- 特性：TrenchFET功率MOSFET。 100% Rg测试。 典型ESD性能1400V。 材料分类：如需合规定义，请参阅相关文档。应用：便携式设备的负载开关
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI1078X-T1-GE3
- 商品编号
- C727312
- 商品封装
- SOT-563(SOT-666)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.02A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 142mΩ@10V,1A | |
| 耗散功率(Pd) | 240mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 110pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 11pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 21pF |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个3000个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交3单
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