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SI1443EDH-T1-GE3
1个P沟道 耐压:30V 电流:4A
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- 描述
- 特性：TrenchFET功率MOSFET。典型ESD性能1500V HBM。100% Rg测试。材料分类：有关合规性定义，请参阅相关文档。应用：便携式设备的负载开关。手机
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI1443EDH-T1-GE3
- 商品编号
- C727305
- 商品封装
- SC-70-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.04克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 54mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.6W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 600mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
采用铜引脚框架的新型单通道 6 引脚 SC-70 封装与现有的采用 Alloy 42 引脚框架的 3 引脚和 6 引脚封装相比，可实现更低的导通电阻值和更出色的热性能。这些器件适用于需要小型化封装的中小负载应用。该封装的器件具有多种导通电阻值，提供 N 沟道和 P 沟道版本。
商品特性
- TrenchFET 功率 MOSFET
- 典型 ESD 性能 1500 V HBM
- 100% 测试 Rg
应用领域
-便携式设备负载开关-手机-数码相机-便携式游戏机-MP3-GPS-软启动负载开关
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