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SI8800EDB-T2-E1
1个N沟道 耐压:20V 电流:2.8A
- 描述
- 特性：采用TrenchFET功率MOSFET。 超小尺寸，外形为0.8mm×0.8mm。 超薄设计，高度为0.357mm。 典型ESD保护为1500V。应用：便携式设备，如手机、智能手机和MP3播放器。 负载开关
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI8800EDB-T2-E1
- 商品编号
- C727307
- 商品封装
- XFBGA-4
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.025克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 80mΩ@4.5V,2.8A | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 3.2nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
交货周期
订货1-3个工作日购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 3000 个)个
起订量：3000 个3000个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交0单
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