SI1079X-T1-GE3
1个P沟道 耐压:30V 电流:1.44A
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI1079X-T1-GE3
- 商品编号
- C727294
- 商品封装
- SC-89-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.024克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.44A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 210mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 600mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 26nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 750pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 60pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- TrenchFET功率MOSFET
- 典型ESD性能为2500 V
- 100%进行Rg测试
应用领域
- 便携式设备的负载开关
- 电源管理
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