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SI1031R-T1-GE3
1个P沟道 耐压:20V 电流:140mA
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI1031R-T1-GE3
- 商品编号
- C727296
- 商品封装
- SC-75A-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.038克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 140mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8Ω@4.5V,150mA | |
| 耗散功率(Pd) | 250mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 类型 | P沟道 |
商品特性
- 符合IEC 61249-2-21定义的无卤要求
- 高端开关
- 低导通电阻：8 Ω
- 低阈值：0.9 V（典型值）
- 快速开关速度：45 ns
- 沟道型场效应管（TrenchFET）功率MOSFET：额定电压1.5 V
- 静电放电（ESD）保护：2000 V
- 符合RoHS指令2002/95/EC
应用领域
- 驱动器：继电器、螺线管、灯、锤击器、显示器、存储器
- 电池供电系统
- 电源转换电路
- 负载/电源开关：手机、寻呼机
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