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SI5468DC-T1-GE3

1个N沟道耐压:30V 电流:6A

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描述: 特性：无卤，符合IEC 61249-2-21定义。TrenchFET功率MOSFET。100%进行Rg测试。应用：系统电源。笔记本电脑
品牌名称: VISHAY(威世)
商品型号: SI5468DC-T1-GE3
商品编号: C727298
商品封装: SMD-8P,3.2x1.6mm
包装方式: 编带
商品毛重: 0.022克(g)

商品参数

商品概述

Vishay Siliconix 推出的新型无引脚 1206 - 8 封装 ChipFET 与常见的 1206 - 8 电阻器和电容器外形相同，但具备真正功率半导体器件的所有性能。1206 - 8 ChipFET 与 LITTLE FOOT® TSOP - 6 的主体占位面积相同，从电路板面积可视化的角度来看，可将其视为无引脚的 TSOP - 6，但其热性能可与大得多的 SO - 8 相媲美。

商品特性

符合 IEC 61249 - 2 - 21 定义的无卤要求
沟槽式场效应功率 MOSFET
100% 进行 Rg 测试

应用领域

-系统电源-笔记本电脑-上网本-负载开关-低电流 DC/DC 转换

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	30V
	连续漏极电流(Id)	6A
	导通电阻(RDS(on))	28mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	3.6W

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	2.5V
	栅极电荷量(Qg)	3.8nC@10V
	输入电容(Ciss)	435pF
	反向传输电容(Crss)	42pF
	工作温度	-55℃~+150℃