温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SI8823EDB-T2-E1
1个P沟道 耐压:20V 电流:2.7A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI8823EDB-T2-E1
- 商品编号
- C727299
- 商品封装
- MicroFoot-4
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 95mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 400mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 580pF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- TrenchFET第三代P沟道功率MOSFET
- 紧凑的0.8 mm x 0.8 mm外形面积
- 最大厚度低至0.4 mm
- VGS = -1.5 V时的RDS(on)额定值
- 典型ESD保护:1900 V HBM
应用领域
-负载开关-电池供电、移动和可穿戴设备的电源管理
相似推荐
其他推荐
- SI8821EDB-T2-E1
- SIA462DJ-T1-GE3
- SQ1539EH-T1_GE3
- SQ1563AEH-T1_GE3
- SI1443EDH-T1-GE3
- SI3424CDV-T1-GE3
- SI8800EDB-T2-E1
- SI8806DB-T2-E1
- SIRA18ADP-T1-GE3
- SI1926DL-T1-E3
- SI1467DH-T1-E3
- SI1078X-T1-GE3
- SI3493DDV-T1-GE3
- SI8812DB-T2-E1
- SI1302DL-T1-GE3
- SI1032X-T1-GE3
- SIS472ADN-T1-GE3
- SI1967DH-T1-E3
- SIRA88DP-T1-GE3
- SQ1440EH-T1_GE3
- SIA477EDJ-T1-GE3