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SI8823EDB-T2-E1
1个P沟道 耐压:20V 电流:2.7A
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI8823EDB-T2-E1
- 商品编号
- C727299
- 商品封装
- MicroFoot-4
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 95mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 400mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.6nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 580pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 75pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 165pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±8V |
商品特性
- TrenchFET第三代P沟道功率MOSFET
- 紧凑的0.8 mm x 0.8 mm外形面积
- 最大厚度低至0.4 mm
- VGS = -1.5 V时的RDS(on)额定值
- 典型ESD保护:1900 V HBM
应用领域
-负载开关-电池供电、移动和可穿戴设备的电源管理
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