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SI3429EDV-T1-GE3实物图
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SI3429EDV-T1-GE3

耐压:20V 电流:8A

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描述
特性:TrenchFET功率MOSFET。 100%进行Rg测试。 内置ESD保护。 典型ESD性能3000V。应用:便携式和消费类产品的电源管理。 负载开关
品牌名称
VISHAY(威世)
商品型号
SI3429EDV-T1-GE3
商品编号
C727295
商品封装
TSOP-6​
包装方式
编带
商品毛重
0.06克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量-
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)8A
导通电阻(RDS(on))21mΩ@4.5V,8A
耗散功率(Pd)2W
阈值电压(Vgs(th))400mV
属性参数值
栅极电荷量(Qg)43.2nC@8V
输入电容(Ciss)4.083nF@10V
反向传输电容(Crss)365pF@10V
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道
输出电容(Coss)395pF

数据手册PDF

优惠活动

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(3000个/圆盘,最小起订量 5 个)
起订量:5 个3000个/圆盘

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