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SI3429EDV-T1-GE3
耐压:20V 电流:8A
- 描述
- 特性：TrenchFET功率MOSFET。 100%进行Rg测试。 内置ESD保护。 典型ESD性能3000V。应用：便携式和消费类产品的电源管理。 负载开关
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI3429EDV-T1-GE3
- 商品编号
- C727295
- 商品封装
- TSOP-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.06克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 21mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 400mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 43.2nC@8V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.083nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 365pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 395pF |
商品特性
- TrenchFET功率MOSFET
- 100%进行Rg测试
- 内置ESD保护
- 典型ESD性能3000 V
应用领域
-便携设备和消费电子产品电源管理-负载开关-DC/DC转换器
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