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SI1016CX-T1-GE3
1个N沟道+1个P沟道 耐压:20V
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- 描述
- 特性：TrenchFET功率MOSFET。 高端开关。 易于驱动开关。 低失调（误差）电压。 低电压运行。 高速电路。应用：负载开关、小信号开关和电平转换开关。 电池供电系统
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI1016CX-T1-GE3
- 商品编号
- C727293
- 商品封装
- SC-89-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.02克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 396mΩ@4.5V,500mA | |
| 耗散功率(Pd) | 220mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 2nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 43pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个3000个/圆盘
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