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SI3473DDV-T1-GE3
12V 8.7A
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- 描述
- 特性：TrenchFET第三代P沟道功率MOSFET。 在VGS = -1.8V时的RDS(on)额定值。 100% Rg和UIS测试。 符合RoHS标准，无卤素。应用：负载开关。 PA开关
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI3473DDV-T1-GE3
- 商品编号
- C727291
- 商品封装
- TSOP-6-1.5mm
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.044克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17.8mΩ@4.5V,8.7A | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 1.975nF@6V | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个3000个/圆盘
总价金额：
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