SI8819EDB-T2-E1
1个P沟道 耐压:12V 电流:2.9A
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI8819EDB-T2-E1
- 商品编号
- C727288
- 商品封装
- MicroFoot-4
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 80mΩ@3.7V | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 400mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 17nC@8V | |
| 输入电容(Ciss) | 620pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 130pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- TrenchFET功率MOSFET
- 小尺寸,外形面积0.8 mm x 0.8 mm
- 低厚度,最大0.4 mm
- 典型ESD保护能力1700 V HBM
应用领域
-负载开关和电池开关-高速开关-适用于智能手机、平板电脑和移动计算设备
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