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SI1424EDH-T1-GE3
1个N沟道 耐压:20V 电流:4A
- 描述
- 特性：沟槽式场效应晶体管功率MOSFET。 典型ESD保护4000V。 100%进行Rg测试。应用：便携式设备。 负载开关
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI1424EDH-T1-GE3
- 商品编号
- C727284
- 商品封装
- SC-70-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.016667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 33mΩ@4.5V,4A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.56W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 400mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
交货周期
订货3-5个工作日购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 10 个)个
起订量：10 个3000个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交2单
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