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SI1036X-T1-GE3
2个N沟道 耐压:30V 电流:0.6A
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- 描述
- 特性：TrenchFET功率MOSFET。 100%进行Rg测试。 栅源极ESD保护：1000V。 材料分类。应用：负载开关。 高速开关
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI1036X-T1-GE3
- 商品编号
- C727283
- 商品封装
- SC-89-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.013克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 600mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 540mΩ@4.5V,0.6A | |
| 耗散功率(Pd) | 140mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 720pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 36pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 9pF |
商品特性
- TrenchFET功率MOSFET
- 100%进行Rg测试
- 栅源极ESD保护：1000 V
应用领域
- 负载开关-高速开关-DC/DC转换器/升压转换器-适用于智能手机、平板电脑和移动计算设备
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