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2N7002K-T1-E3实物图
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2N7002K-T1-E3

1个N沟道 耐压:60V 电流:0.3A

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
描述
特性：低导通电阻：2Ω。低阈值：2V (典型值)。低输入电容：25 pF。快速开关速度：25 ns。低输入和输出泄漏。TrenchFET功率MOSFET。应用：直接逻辑电平接口：TTL/CMOS。驱动器：继电器、螺线管、灯、锤、显示器、存储器、晶体管等
品牌名称
VISHAY(威世)
商品型号
2N7002K-T1-E3
商品编号
C727276
商品封装
SOT-23​
包装方式
编带
商品毛重
0.068克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)300mA
导通电阻(RDS(on))2Ω@10V,500mA
耗散功率(Pd)140mW
阈值电压(Vgs(th))2.5V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)400pC@4.5V
输入电容(Ciss)30pF@25V
反向传输电容(Crss)2.5pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)6pF

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