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SI3443DDV-T1-GE3
P沟道，20 V（D-S）MOSFET
- 描述
- 特性：TrenchFET功率MOSFET PWM优化。 100% Rg测试。应用：硬盘驱动器。 DC/DC转换器
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI3443DDV-T1-GE3
- 商品编号
- C727279
- 商品封装
- TSOP-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.041133克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 39mΩ@4.5V；57mΩ@2.7V；64mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@8V；9nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 970pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 111pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 125pF |
交货周期
订货7-9个工作日购买数量
(1个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个1个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交2单
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