2N7002-T1-E3
1个N沟道 耐压:60V 电流:0.115A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 特性:低导通电阻:2.5 Ω。 低阈值:2.1 V。 低输入电容:22 pF。 快速开关速度:7 ns。 低输入和输出泄漏。 低失调电压。应用:高速电路。 电池供电系统
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- 2N7002-T1-E3
- 商品编号
- C727277
- 商品封装
- TO-236
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.036克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 115mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.5Ω@10V,0.115A | |
| 耗散功率(Pd) | 80mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 22pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 11pF |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘,最小起订量 5 个)个
起订量:5 个3000个/圆盘
近期成交1单
相似推荐
其他推荐
- SI3443DDV-T1-GE3
- SI1442DH-T1-GE3
- SI2308CDS-T1-GE3
- SI3453DV-T1-GE3
- SI1036X-T1-GE3
- SI1424EDH-T1-GE3
- SIUD402ED-T1-GE3
- SI3440ADV-T1-GE3
- SI1427EDH-T1-GE3
- SI8819EDB-T2-E1
- SI1317DL-T1-GE3
- SI3473DDV-T1-GE3
- SI2303CDS-T1-E3
- SI1016CX-T1-GE3
- SI1079X-T1-GE3
- SI3429EDV-T1-GE3
- SI1031R-T1-GE3
- SI2367DS-T1-GE3
- SI5468DC-T1-GE3
- SI8823EDB-T2-E1
- SI8821EDB-T2-E1
