温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
2N7002E-T1-GE3
1个N沟道 耐压:60V 电流:240mA
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 特性：无卤，符合 IEC 61249-2-21 定义。 低导通电阻：3Ω。 低阈值：2V（典型值）。 低输入电容：25pF。 快速开关速度：7.5ns。 低输入和输出泄漏。应用：直接逻辑电平接口：TTL/CMOS。 驱动器：继电器、螺线管、灯、锤子、显示器、存储器、晶体管等
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- 2N7002E-T1-GE3
- 商品编号
- C727275
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.016克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 240mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3Ω@10V,250mA | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 600pC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 25pF@60V | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.5pF@60V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤要求
- 低导通电阻：3 Ω
- 低阈值：2 V（典型值）
- 低输入电容：25 pF
- 快速开关速度：7.5 ns
- 低输入和输出泄漏电流
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
- 低失调电压
- 低电压工作
- 无需缓冲器即可轻松驱动
- 高速电路
- 低误差电压
应用领域
- 直接逻辑电平接口：TTL/CMOS
- 驱动器：继电器、螺线管、灯、锤、显示器、存储器、晶体管等
- 电池供电系统
- 固态继电器
相似推荐
其他推荐
- 2N7002K-T1-E3
- 2N7002-T1-E3
- SI3443DDV-T1-GE3
- SI1442DH-T1-GE3
- SI2308CDS-T1-GE3
- SI3453DV-T1-GE3
- SI1036X-T1-GE3
- SI1424EDH-T1-GE3
- SIUD402ED-T1-GE3
- SI3440ADV-T1-GE3
- SI1427EDH-T1-GE3
- SI8819EDB-T2-E1
- SI1317DL-T1-GE3
- SI3473DDV-T1-GE3
- SI2303CDS-T1-E3
- SI1016CX-T1-GE3
- SI1079X-T1-GE3
- SI3429EDV-T1-GE3
- SI1031R-T1-GE3
- SI2367DS-T1-GE3
- SI5468DC-T1-GE3