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SIUD412ED-T1-GE3
N沟道，12 V（D-S）MOSFET
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- 描述
- 特性：TrenchFET功率MOSFET。 超小尺寸：0.8mm×0.6mm。 超薄厚度：最大0.4mm。 典型ESD保护：1500V（HBM）。 1.2V额定RDS(on)。 100% Rg测试。应用：负载开关。 高速开关
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIUD412ED-T1-GE3
- 商品编号
- C727274
- 商品封装
- PowerPAK0806-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.055克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 500mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 340mΩ@4.5V,0.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 370mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 350mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 470pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 21pF@6V | |
| 反向传输电容(Crss) | 1pF@6V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 13pF |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个3000个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交4单
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