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IRLR9343TRPBF-VB实物图
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温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

IRLR9343TRPBF-VB

1个P沟道 耐压:60V 电流:35A

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描述
台积电流片，长电科技封装；是一款高性能单P型场效应晶体管，采用Trench技术制造，具有良好的导通特性和稳定性以及散热性能和安装方便性，适用于各种功率电路设计。TO252；P—Channel沟道,-60V；-35A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；
品牌名称
VBsemi(微碧半导体)
商品型号
IRLR9343TRPBF-VB
商品编号
C6705295
商品封装
TO-252​
包装方式
编带
商品毛重
0.497195克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)35A
导通电阻(RDS(on))46mΩ@10V；58mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)2.3W
阈值电压(Vgs(th))1V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)26nC@10V
输入电容(Ciss)1.9nF
反向传输电容(Crss)90pF
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道
输出电容(Coss)130pF

数据手册PDF

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