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SI2301ADS-T1-GE3-VB实物图
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SI2301ADS-T1-GE3-VB

1个P沟道 耐压:20V 电流:3.5A

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描述
台积电流片,长电科技封装;是一款单P型场效应管,采用Trench工艺制造,适用于多种电源和功率控制应用,包括但不限于便携式电子设备、电源管理、电池充放电控制和LED照明等领域的模块设计。SOT23;P—Channel沟道,-20V;-4A;RDS(ON)=60mΩ@VGS=4.5V,VGS=±12V;Vth=-0.5~-1.5V;
商品型号
SI2301ADS-T1-GE3-VB
商品编号
C6705303
商品封装
SOT-23(TO-236)​
包装方式
编带
商品毛重
0.035637克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)3.5A
导通电阻(RDS(on))60mΩ@10V
耗散功率(Pd)1.6W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))500mV
栅极电荷量(Qg)6.4nC@2.5V
输入电容(Ciss)835pF@10V
反向传输电容(Crss)155pF@10V
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)
类型P沟道

数据手册PDF

优惠活动

  • 8.5

    购买数量

    (3000个/圆盘,最小起订量 10 个)
    起订量:10 个3000个/圆盘

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