SI2301ADS-T1-GE3-VB
1个P沟道 耐压:20V 电流:3.5A
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- 描述
- 台积电流片,长电科技封装;是一款单P型场效应管,采用Trench工艺制造,适用于多种电源和功率控制应用,包括但不限于便携式电子设备、电源管理、电池充放电控制和LED照明等领域的模块设计。SOT23;P—Channel沟道,-20V;-4A;RDS(ON)=60mΩ@VGS=4.5V,VGS=±12V;Vth=-0.5~-1.5V;
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- SI2301ADS-T1-GE3-VB
- 商品编号
- C6705303
- 商品封装
- SOT-23(TO-236)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.035637克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.6W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 500mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.4nC@2.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 835pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 155pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 类型 | P沟道 |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘,最小起订量 10 个)个
起订量:10 个3000个/圆盘
总价金额:
¥ 0.00近期成交4单
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