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SI6926ADQ-T1-GE3-VB
SI6926ADQ-T1-GE3-VB
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；TSSOP8；N+N—Channel沟道；20V；7.5A；RDS(ON)=11(mΩ)@VGS=10V；VGS=±12V；Vth=0.86V；采用Trench技术；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- SI6926ADQ-T1-GE3-VB
- 商品编号
- C6705320
- 商品封装
- TSSOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.134607克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品特性
- 提供无卤素选项
- 沟槽功率MOSFET
- SI7850DP-T1-E3-VB
- SI9945BDY-T1-E3-VB
- SIR422DP-T1-GE3-VB
- SM4953KC-TRG-VB
- SQ2309ES-T1-GE3-VB
- STD35NF06LT4&15-VB
- SUD23N06-31L-GE3-VB
- SUD50P04-08-GE3-VB
- SUD50P06-15-GE3-VB
- TP0610K-T1-E3-VB
- TPC8107&9-VB
- TSM2314CX RF-VB
- WNM2016-3/TR-VB
- ZXMN6A07FTA-VB
- SMV1705-000
- SMPA1320-079LF
- SMV1801-079LF
- SKY12208-306LF
- SMV2020-079LF
- SMV2203-040LF
- SKY66403-11