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SI7850DP-T1-E3-VB
1个N沟道 耐压:60V 电流:15A
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描述
台积电流片，长电科技封装；是一款单极性N型MOSFET，采用Trench工艺制造，适用于便携式设备、消费电子、医疗设备等领域。QFN8(5X6)；N—Channel沟道,60V；15A；RDS(ON)=24mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~2.8V；
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
SI7850DP-T1-E3-VB商品编号
C6705321商品封装
DFN-8(5x6)包装方式
编带
商品毛重
0.180991克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A |
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