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SI7850DP-T1-E3-VB
1个N沟道 耐压:60V 电流:15A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单极性N型MOSFET，采用Trench工艺制造，适用于便携式设备、消费电子、医疗设备等领域。QFN8(5X6)；N—Channel沟道,60V；15A；RDS(ON)=24mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~2.8V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- SI7850DP-T1-E3-VB
- 商品编号
- C6705321
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.180991克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 24mΩ@10V；28mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 35.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.8V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 11.1nC@10V；5.2nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 790pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 14pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 330pF |
优惠活动
购买数量
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