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SIR422DP-T1-GE3-VB
1个N沟道 耐压:40V 电流:70A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单极性N沟道场效应管，采用Trench工艺制造，适用于需要高功率和电流的应用场合。DFN8(5X6)；N—Channel沟道,40V；70A；RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.2~2.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- SIR422DP-T1-GE3-VB
- 商品编号
- C6705323
- 商品封装
- DFN5x6-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.199631克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 70A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 6.15W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 57.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.195nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 670pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 975pF |
商品特性
- 沟槽功率MOSFET
- 100%进行Rg和UIS测试
应用领域
-笔记本电脑核心-电压调节模块/负载点电源
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