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SI3430DV-T1-GE3-VB实物图
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SI3430DV-T1-GE3-VB

1个N沟道 耐压:100V 电流:3.2A

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描述
台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应管，采用Trench技术，适用于需要低功耗、小封装和可靠性能的领域和模块。SOT23-6；N—Channel沟道,100V；3.2A；RDS(ON)=95mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~2.5V；
品牌名称
VBsemi(微碧半导体)
商品型号
SI3430DV-T1-GE3-VB
商品编号
C6705311
商品封装
TSOP-6​
包装方式
编带
商品毛重
0.048051克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)3.2A
导通电阻(RDS(on))-
耗散功率(Pd)1.3W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1V
栅极电荷量(Qg)-
输入电容(Ciss)424pF@50V
反向传输电容(Crss)42pF@50V
工作温度-55℃~+150℃

数据手册PDF

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