SI3911DV-T1-GE3-VB

2个P沟道 耐压:20V 电流:3.6A

描述

台积电流片，长电科技封装；是一款双通道P型MOSFET，采用Trench工艺，具有良好的性能稳定性和可靠性，适用于需要高压承受能力、低功耗和高效能的电路和模块，如电源管理、电动车控制和工业自动化等领域。SOT23-6；2个P—Channel沟道,-20V；-4A；RDS(ON)=75mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=-0.5~-2V；

品牌名称

VBsemi(微碧半导体)

商品型号

SI3911DV-T1-GE3-VB

商品编号

C6705312

商品封装

TSOP-6​

包装方式

编带

商品毛重

0.047006克(g)