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SI4599DY-T1-GE3-VB实物图

温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

SI4599DY-T1-GE3-VB

1个N沟道+1个P沟道耐压:60V 电流:5.3A

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描述: 台积电流片，长电科技封装；是一款双N型和P型场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于电力电子领域、工业电源模块、电动车辆、太阳能逆变器、通信设备等领域。SOP8；N+P—Channel沟道,±60V；5.3/-4.9A；RDS(ON)=26/55mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=±1~±3；
品牌名称: VBsemi(微碧半导体)
商品型号: SI4599DY-T1-GE3-VB
商品编号: C6705316
商品封装: SO-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.165456克(g)

商品参数

	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道+1个P沟道
	漏源电压(Vdss)	60V
	连续漏极电流(Id)	5.3A
	导通电阻(RDS(on))	26mΩ@10V；55mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	2W
	阈值电压(Vgs(th))	1V

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