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Si2399CDS-T1-GE3-VB实物图
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Si2399CDS-T1-GE3-VB

1个P沟道 耐压:30V 电流:5.6A

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描述
台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；
品牌名称
VBsemi(微碧半导体)
商品型号
Si2399CDS-T1-GE3-VB
商品编号
C6705310
商品封装
SOT-23(TO-236)​
包装方式
编带
商品毛重
0.053654克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)5.6A
导通电阻(RDS(on))46mΩ@10V
耗散功率(Pd)1.6W
阈值电压(Vgs(th))2V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)24nC@10V
输入电容(Ciss)1.295nF
反向传输电容(Crss)130pF
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道
输出电容(Coss)150pF

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