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SI2308BDS-T1-GE3-VB实物图
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SI2308BDS-T1-GE3-VB

1个N沟道 耐压:60V 电流:3.1A

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
描述
台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于便携式电子产品、消费电子、传感器模块、医疗设备和智能穿戴设备等低功率模块和应用场景。SOT23；N—Channel沟道,60V；4A；RDS(ON)=75mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；
品牌名称
VBsemi(微碧半导体)
商品型号
SI2308BDS-T1-GE3-VB
商品编号
C6705307
商品封装
SOT-23(TO-236)​
包装方式
编带
商品毛重
0.054克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)3.1A
导通电阻(RDS(on))75mΩ@10V；86mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)1.09W
阈值电压(Vgs(th))1V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)2.1nC@10V
输入电容(Ciss)180pF@30V
反向传输电容(Crss)13pF@30V
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)22pF

数据手册PDF

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