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SI2306DS-T1-GE3-VB实物图
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SI2306DS-T1-GE3-VB

1个N沟道 耐压:30V 电流:6.5A

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描述
台积电流片，长电科技封装；这是一款单通道N沟道场效应晶体管（单N），采用Trench工艺制造。适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。SOT23；N—Channel沟道,30V；6.5A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.7~2V；
品牌名称
VBsemi(微碧半导体)
商品型号
SI2306DS-T1-GE3-VB
商品编号
C6705305
商品封装
SOT-23(TO-236)​
包装方式
编带
商品毛重
0.054克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)6.5A
导通电阻(RDS(on))30mΩ@10V；33mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)1.1W
阈值电压(Vgs(th))1.1V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)4.5nC@10V
输入电容(Ciss)335pF
反向传输电容(Crss)17pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)45pF

数据手册PDF

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