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PCB/SMT 工业品

SI1539CDL-T1-GE3-VB实物图

温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

SI1539CDL-T1-GE3-VB

1个N沟道+1个P沟道耐压:20V 电流:3.28A

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样

描述: 台积电流片，长电科技封装；是一款双N型和P型沟道功率MOSFET，采用Trench工艺，适用于各种需要同时控制正负极电流的应用场合。SC70-6；N+P—Channel沟道,±20V；3.28/-2.8A；RDS(ON)=90/155mΩ@VGS=4.5V,VGS=20V；Vth=±0.45~1V；
品牌名称: VBsemi(微碧半导体)
商品型号: SI1539CDL-T1-GE3-VB
商品编号: C6705300
商品封装: SC-70-6
包装方式: 编带
商品毛重: 0.035863克(g)

商品参数

	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道+1个P沟道
	漏源电压(Vdss)	20V
	连续漏极电流(Id)	3.28A；2.8A
	导通电阻(RDS(on))	90mΩ@4.5V；155mΩ@4.5V
	耗散功率(Pd)	1.24W；1.1W
	阈值电压(Vgs(th))	450mV@100uA

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