SI1917EDH-T1-GE3-VB

2个P沟道 耐压:20V 电流:1.6A

描述

台积电流片，长电科技封装；是一款双P+P型MOSFET，采用Trench技术，适用于多种低功率应用场景，其小型封装、低功耗和稳定性使其成为移动设备、消费类电子、医疗设备和工业控制等领域的理想选择。SC70-6；2个P—Channel沟道,-20V；-1.8A；RDS(ON)=155mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=-0.5~-1.5V；

品牌名称

VBsemi(微碧半导体)

商品型号

SI1917EDH-T1-GE3-VB

商品编号

C6705302

商品封装

SC-70-6​

包装方式

编带

商品毛重

0.041134克(g)