SI1555DL-T1-GE3-VB

1个N沟道+1个P沟道 耐压:20V 电流:3.28A

描述

台积电流片，长电科技封装；是一款双N型和P型沟道功率MOSFET，采用Trench工艺，适用于各种需要同时控制正负极电流的应用场合。SC70-6；N+P—Channel沟道,±20V；3.28/-2.8A；RDS(ON)=90/155mΩ@VGS=4.5V,VGS=20V；Vth=±0.45~1V；

品牌名称

VBsemi(微碧半导体)

商品型号

SI1555DL-T1-GE3-VB

商品编号

C6705301

商品封装

SC-70-6​

包装方式

编带

商品毛重

0.039528克(g)